BJT және IGBT арасындағы айырмашылық

2024 Автор: Alex Aldridge | [email protected]. Соңғы өзгертілген: 2023-12-17 13:43

BJT және IGBT

BJT (Биполярлық қосылыс транзисторы) және IGBT (оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы) - токтарды басқару үшін қолданылатын транзисторлардың екі түрі. Екі құрылғыда да PN түйіспелері бар және құрылғы құрылымы әртүрлі. Екеуі де транзистор болғанымен, сипаттамаларында айтарлықтай айырмашылықтар бар.

BJT (Биполярлық қосылыс транзисторы)

BJT – екі PN өткелінен тұратын транзистордың түрі (p типті жартылай өткізгішті және n типті жартылай өткізгішті қосу арқылы жасалған түйін). Бұл екі түйіспе P-N-P немесе N-P-N ретімен үш жартылай өткізгіш бөлікті қосу арқылы жасалады. Сондықтан PNP және NPN деп аталатын BJT екі түрі қол жетімді.

Осы үш жартылай өткізгіш бөлікке үш электрод қосылған және ортаңғы өткізгіш «негіз» деп аталады. Басқа екі түйіспе – «эмиттер» және «коллектор».

BJT-де үлкен коллекторлық эмитент (I_c) шағын негізгі эмитент тогы (I_{B) арқылы басқарылады және бұл сипат күшейткіштерді немесе ажыратқыштарды жобалау үшін пайдаланылады. Сондықтан оны токпен басқарылатын құрылғы ретінде қарастыруға болады. BJT көбінесе күшейткіш тізбектерде қолданылады.}

IGBT (оқшауланған қақпалы биполярлы транзистор)

IGBT – «Эмитатор», «Коллектор» және «Қақпа» деп аталатын үш терминалы бар жартылай өткізгіш құрылғы. Бұл транзистордың бір түрі, ол қуаттың жоғары мөлшерін өңдей алады және жоғары коммутация жылдамдығына ие, оны жоғары тиімді етеді. IGBT нарыққа 1980 жылдары енгізілген.

IGBT MOSFET және биполярлы транзистордың (BJT) біріктірілген мүмкіндіктеріне ие. Ол MOSFET сияқты басқарылатын қақпа және BJT сияқты ток кернеуінің сипаттамаларына ие. Сондықтан оның жоғары токты өңдеу мүмкіндігінің де, басқарудың қарапайымдылығының да артықшылықтары бар. IGBT модульдері (бірнеше құрылғылардан тұрады) киловатт қуатпен жұмыс істейді.

BJT және IGBT арасындағы айырмашылық

1. BJT - токпен басқарылатын құрылғы, ал IGBTқақпа кернеуімен басқарылады.

2. IGBT терминалдары эмитент, коллектор және қақпа ретінде белгілі, ал BJT эмитент, коллектор және негізден жасалған.

3. IGBT құрылғылары BJT қарағанда қуатты өңдеуде жақсырақ.

4. IGBT BJT және FET (Өрістік транзистор) комбинациясы ретінде қарастырылуы мүмкін

5. IGBT BJT-пен салыстырғанда күрделі құрылғы құрылымына ие.

6. IGBT-пен салыстырғанда BJT ұзақ тарихы бар